| 主权项 |
1.一种铁电随机存取存储器装置，其包括：一组可寻址存储器单元(MC00到MCnm)，其每个均具有一个用于以沿一个磁滞回线可变的剩磁形式存储一个数据位的铁电容性装置(CP1/CP2)；一组位线(BLT0/BLN0到BLTm/BLNm)，其选择性地连到所述一组可寻址存储器单元，并将由于从所述一组可寻址存储器单元中选出的可寻址存储器单元的所述铁电容性装置的所述剩磁而产生的电势差传出或传入；一组读出放大器(OSA0到OSAm)，选择性地连到所述一组位线以增加所述电势差的幅值；以及一个数据接口(25/DLT0/DLN0和DLT1/DLN1；DA0/DA1；WB0/WB1)，选择性地连到所述一组位线以产生一个表示在所述可寻址存储器单元中至少存在一个短寿命单元的诊断信号；其中所述读出放大器的每一个均包括连在一条高电压线(SAP)和一条低电压线之间的一个第一晶体管(T11)及与所述第一晶体管的沟道传导类型相反的一个第二晶体管(T13)的一个第一串联组合，及连在所述高电压线和所述低电压线之间的一个第三晶体管(T12)及与所述第三晶体管的沟道传导类型相反的一个第四晶体管(T14)的一个第二串联组合，及提供于所述第一晶体管和所述第二晶体管之间并连在所述第一位线和所述第三和第四晶体管的栅电极之间的一个第一节点(N11)和提供于所述第三晶体管和所述第四晶体管之间并连在所述第二位线和所述第一和第二晶体管的栅电极之间的一个第二节点(N12)，以及一条连在所述第一节点(N11)和所述低电压线之间的第一电流通路(T15/T16)，一条连在所述第二节点(N12)和所述低电压线之间的第二电流通路(T17/T18)，以及用于选择性地激励所述电压电流通路和所述第二电流通路的控制信号线(OST/OSN)，它们构成一个短寿命单元检测装置，使所述读出放大器在所述可寻址存储器单元中的至少一个沿所述一个小磁滞回线改变所述剩磁时产生所述诊断信号。 |
