| 发明名称 | 带有外加磁场的深能级测量样品架装置 | ||
| 摘要 | 一种带有外加磁场的深能级测量样品架装置，其特征在于，其中包括：一个磁铁架，该磁铁架为矩形，在该磁铁架的中间开有一圆形凹槽；一磁铁座，该磁铁座为矩形，该磁铁座的长度和厚度均大于磁铁架，在该磁铁座的上面开有四个圆孔；该磁铁架的一端固定在磁铁座的一长侧边上或一体制作而成，该磁铁架和磁铁座的底面在一水平面上。 | ||
| 申请公布号 | CN2646690Y | 申请公布日期 | 2004.10.06 |
| 申请号 | CN200320100866.7 | 申请日期 | 2003.10.23 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 卢励吾;张砚华;葛惟昆 |
| 分类号 | G01N1/36;G01N27/00 | 主分类号 | G01N1/36 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种带有外加磁场的深能级测量样品架装置，其特征在于，其中包括：一个磁铁架，该磁铁架为矩形，在该磁铁架的中间开有一圆形凹槽；一磁铁座，该磁铁座为矩形，该磁铁座的长度和厚度均大于磁铁架，在该磁铁座的上面开有四个圆孔；该磁铁架的一端固定在磁铁座的一长侧边上或一体制作而成，该磁铁架和磁铁座的底面在一水平面上。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||