发明名称 |
利用反向自对准过程制造双ONO式SONOS存储器的方法 |
摘要 |
一种利用反向自对准过程制造双ONO形式的SONOS存储器的方法,其中,在栅极下面形成一ONO电介质层,并且不论光刻极限如何,利用反向自对准过程,将该ONO电介质层实际上分开为两个部分。为了容易进行反向自对准,采用用于确定ONO电介质层的宽度的缓冲层和隔片。这样,可以适当地调整在编程和擦试过程中,俘获的电荷的分散,从而改善SONOS的特性,本发明可以防止在编程和擦试操作后,随着时间变化电荷的再分布。 |
申请公布号 |
CN1534769A |
申请公布日期 |
2004.10.06 |
申请号 |
CN200410032000.6 |
申请日期 |
2004.03.31 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
李龙圭;韩晶昱;姜盛泽;李种德;朴炳国 |
分类号 |
H01L21/8247 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种制造SONOS存储器的方法,该方法包括:在基片上形成一氧化硅-氮化硅-氧化硅(ONO)电介质层;在ONO电介质层上形成一缓冲层,该缓冲层具有露出ONO电介质层的表面一部分的一沟槽;在该沟槽的内壁上形成第一导电隔片;利用第一导电隔片作为蚀刻掩模,通过有选择地除去ONO电介质层的露出部分,将ONO电介质层分开成两个部分;在由分开ONO电介质层形成的露出基片上形成栅极电介质层,该栅极电介质层延伸到分开的ONO电介质层的露出的侧壁,和沟槽内的第一导电隔片,及缓冲层的顶面上;在栅极电介质层上形成第二导电层,以充满沟槽内壁之间的间隙;除去由第二导电层露出的栅极电介质层;利用第一导电隔片作为蚀刻掩模,除去缓冲层;和利用第一导电隔片作为蚀刻掩模,通过有选择地除去由除去缓冲层露出的每一隔开的ONO电介质层的一部分,对两个分开的ONO电介质层上构图。 |
地址 |
韩国京畿道 |