发明名称 半导体元件连接用金线及半导体元件的连接方法
摘要 提供一种半导体元件连接用金线和半导体元件的连接方法。该金线中包含5~100质量ppm的Ca、5~100质量ppm的Gd、1~100质量ppm的Y,优选还含有1~100质量ppm的Eu、La、Ce和Lu中的至少一种,更优选地还含有1~100质量ppm的Mg、Ti、Pb中的至少一种,这些元素的总量在200质量ppm以下,其余为金和不可避免的杂质。该半导体元件的连接方法用该金线进行球键合和凸点键合。
申请公布号 CN1169202C 申请公布日期 2004.09.29
申请号 CN01121320.5 申请日期 2001.05.31
申请人 田中电子工业株式会社 发明人 村井博;三苫修一;德山威吏;本村光友
分类号 H01L21/60;H01L23/48;C22C5/02 主分类号 H01L21/60
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王以平
主权项 1.一种半导体元件连接用金线,其中含有5~100质量ppm的Ca、5~100质量ppm的Gd、1~100质量ppm的Y,这些元素的总量为200质量ppm以下,其余为金和不可避免的杂质。
地址 日本东京