存储单元阵列及其制法

摘要

在存储单元阵列内提供第1和第2导线，在其交叉处安排具有磁致电阻效应的存储元。提供一磁轭，分别包围导线之一并包含具有导磁率至少为10的可磁化材料。该磁轭是如此安排的，使得通过磁轭磁通基本上经存储元闭合。

主权项

1.存储单元阵列，包括：具有一个主面的衬底，一个第一绝缘层安排在所述主面上，一个第一导线和一个第二导线以及一个具有磁致电阻效应的存储元，一个第一磁轭，通过该第一磁轭局部包围所述导线之一，该导线在写访问时提供电流，所述第一磁轭被设置为使得通过所述第一磁轭的磁通基本上在所述存储元内闭合，在所述第一绝缘层内提供一沟，所述第一磁轭设置在该沟的底部及侧面，其特征在于，所述存储元与所述第一导线和第二导线之间的交叉点相连接，所述磁轭包含具有相对磁导率至少为10的可磁化材料，所述第一导线在所述沟内延伸，并且所述沟具有一个背向所述衬底的所述主面的开口。