| 主权项 |
1.一种磁性记忆装置,其特征系具备具有复数之第1之写入配线,和与此等之第1之写入配线交叉之复数之第2之写入配线,和设于每前述第1之写入配线和前述第2之写入配线的交叉范围之记忆单元之记忆阵列;前述记忆单元系具备具有于各别选择对应第1之写入配线之前述第2之写入配线时被选择,于前述第1及第2之写入配线,经由流动各电流产生之磁场,记忆欲写入资讯之记忆层的磁阻效果元件,和包围前述第1之写入配线地加以设置,形成前述记录层和磁性闭电路地,两端部配置于前述记录层之磁化容易轴方向的第1之构造构件,和包围前述第2之写入配线地加以设置,强化前述记录层之磁化困难轴方向之磁场地,两端部配置于前述记录层之磁化困难轴方向的第2之构造构件;前述第1之构造构件之各前述两端部乃较前述第2之构造构件之各前述两端部,于前述记录层之附近加以配置。2.如申请专利范围第1项之磁性记忆装置,其中,前述第1之构造构件系以包含强磁性材料的材料所构成,前述强磁性材料之比导磁率较10为大者。3.如申请专利范围第1项之磁性记忆装置,其中,前述磁阻效果元件乃将具有磁化基准层和隧道隔层和记录层的穿隧接合部,成为单重或二重以上而具备者。4.如申请专利范围第1项之磁性记忆装置,其中,前述第1之构造构件之前述两端部配置于磁化基准层之磁化方向。5.如申请专利范围第1项之磁性记忆装置,其中,自各个前述第2之构造构件之前述两端部至前述记录层的距离,较自各个前述第1之构造构件之前述两端部至前述记录层的距离长10%以上者。6.如申请专利范围第1项之磁性记忆装置,其中,自各个前述第2之构造构件之前述两端部至前述记录层的距离,系较自各个前述第1之构造构件之前述两端部至前述记录层的距离之2倍以上为长。7.如申请专利范围第5项之磁性记忆装置,其中,自各个前述第2之构造构件之两端部至前述记录层的距离,较50nm为小者。8.如申请专利范围第1项之磁性记忆装置,其中,前述第1之构造构件之前述两端部系具备接近前述磁阻效果元件地加以延伸存在之部分。9.一种磁性记忆装置,其特征系具备具有复数之第1之写入配线,和与此等之第1之写入配线交叉之复数之第2之写入配线,和设于每前述第1之写入配线和前述第2之写入配线的交叉范围之记忆单元之记忆阵列;前述记忆单元系具备具有于各别选择对应第1之写入配线之前述第2之写入配线时被选择,于前述第1及第2之写入配线,经由各流动电流产生之磁场,记忆欲写入资讯之记忆层的磁阻效果元件,和包围前述第1之写入配线地加以设置,形成前述记录层和磁性闭电路地,两端部配置于前述记录层之磁化容易轴方向的第1之构造构件,和包围前述第2之写入配线地加以设置,强化前述记录层之磁化困难轴方向之磁场地,两端部配置于前述记录层之磁化困难轴方向的第2之构造构件;前述第1之构造构件乃较前述第2之构造构件,导磁率为大为特征者。10.如申请专利范围第9项之磁性记忆装置,其中,前述第1之构造构件系以包含强磁性材料的材料所构成,前述强磁性材料之比导磁率较10为大者。11.如申请专利范围第9项之磁性记忆装置,其中,前述磁阻效果元件乃将具有磁化基准层和隧道隔层和记录层的穿隧接合部,成为单重或二重以上而具备者。12.如申请专利范围第9项之磁性记忆装置,其中,前述第1之构造构件之前述两端部配置于磁化基准层之磁化方向。13.如申请专利范围第9项之磁性记忆装置,其中,前述第1之构造构件之前述两端部系具备接近前述磁阻效果元件地加以延伸存在之部分。14.一种磁性记忆装置,其特征系乃具备具有复数之第1之写入配线,和与此等之第1之写入配线交叉之复数之第2之写入配线,和设于每前述第1之写入配线和前述第2之写入配线的交叉范围之记忆单元之记忆阵列;前述记忆单元系具备具有于各别选择对应第1之写入配线之前述第2之写入配线时被选择,于前述第1及第2之写入配线,经由各流动电流产生之磁场,记忆欲写入资讯之记忆层的磁阻效果元件,和包围前述第1之写入配线地加以设置,形成前述记录层和磁性闭电路地,两端部配置于前述记录层之磁化容易轴方向的第1之构造构件,和包围前述第2之写入配线地加以设置,强化前述记录层之磁化困难轴方向之磁场地,两端部配置于前述记录层之磁化困难轴方向的第2之构造构件;前述第1及前述第2之构造构件系各由包含强磁性材料之材料所构成,前述第1之构造构件之前述两端部乃较前述第2之构造构件之前述两端部,配置于前述记录层之附近地,自前述第1之写入配线之侧部,向前述磁阻效果元件之前述记录层加以延伸存在。15.如申请专利范围第14项之磁性记忆装置,其中,前述磁阻效果元件乃将具有磁化基准层和隧道隔层和记录层的穿隧接合部,成为单重或二重以上而具备者。16.如申请专利范围第14项之磁性记忆装置,其中,前述第1之构造构件之前述两端部配置于磁化基准层之磁化方向。17.如申请专利范围第14项之磁性记忆装置,其中,自各个前述第2之构造构件之前述两端部至前述记录层的距离,较自各个前述第1之构造构件之前述两端部至前述记录层的距离长10%以上者。18.如申请专利范围第17项之磁性记忆装置,其中,自各个前述第2之构造构件之两端部至前述记录层的距离,较50nm为小者。19.如申请专利范围第14项之磁性记忆装置,其中,前述第1之构造构件之前述两端部系具备接近前述磁阻效果元件地加以延伸存在之部分。20.如申请专利范围第14项之磁性记忆装置,其中,前述第1之构造构件系设于前述磁阻效果元件之上侧,前述第2之构造构件系设于前述磁阻效果元件之下侧。图式简单说明:图1乃显示本发明之第1实施形态所成有关于磁性记忆装置之记忆单元的概略构造斜视图。图2A乃显示向ㄈ字型及该两端封闭之方向延伸之环状构造构件之例图。图2B乃显示向马蹄型及该两端封闭之方向延伸之环状构造构件之例图。图2C乃显示向U字型及该两端封闭之方向延伸之环状构造构件之例图。图2D乃显示向C字型及该两端封闭之方向延伸之环状构造构件之例图。图3A乃以往之记忆单元之平面图。图3B乃有关本发明之记忆单元之平面图。图4乃显示有关第1实施形态之变形例所成磁性记忆装置的记忆单元之概略构造斜视图。图5A乃显示有关第2实施形态所成磁性记忆装置的记忆单元之概略构造斜视图。图5B乃以示于图5A之部面A加以切割时之剖面图。图6乃显示有关于第2实施形态之记忆单元的构成之平面图。 |
