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Eine integrierte Hochspannungsschaltung umfaßt einen Schalter mit einem angeschalteten und einem ausgeschalteten Zustand, der eine parasitäre Steuerelektrodenkapazität aufweist. Der Schalter besteht aus einem Paar DMOS-Transistoren (M¶D1¶, M¶D2¶), die Rücken zu Rücken integriert sind, und hat einen gemeinsamen Steuerelektrodenanschluß. Die Senken der DMOS-Transistoren sind mit den Eingangsanschlüssen bzw. Ausgangsanschlüssen des Schalters verbunden. Die Schaltung weist außerdem eine Anschaltschaltung (M¶4¶) mit einem PMOS-Transistor auf, dessen Senke mit dem gemeinsamen Steuerelektrodenanschluß des Schalters über eine Diode (D¶1¶) verbunden ist, dessen Quelle mit einem globalen Vorspannungsanschluß (V¶g0¶) für Schaltersteuerelektroden verbunden ist, von dem der PMOS-Transistor Strom entnimmt und dessen Steuerelektrode elektrisch mit einem Steueranschluß für eine Schaltersteuerelektrode gekoppelt ist, die ein Steuerspannungssignal (V¶p¶) für eine Schaltersteuerelektrode empfängt. Der Schalter geht von dem ausgeschalteten Zustand zu dem angeschalteten Zustand als Reaktion auf einen ersten Übergang des Steuerspannungssignals für Schaltersteuerelektroden über, der den PMOS-Transistor veranlaßt, sich anzuschalten, und der Schalter bleibt als Reaktion auf einen zweiten Übergang des Steuerspannungssignals für Schaltersteuerelektroden, der den PMOS-Transistor veranlaßt, sich abzuschalten, im angeschalteten Zustand. Die DMOS-Transistoren schalten sich als Reaktion auf die ...
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