发明名称 光致抗蚀剂组合物
摘要 提供新的适合在短波(包括小于300nm和小于200nm,例如193nm和157nm.)成像的光致抗蚀剂。本发明的抗蚀剂包括具有一个或多个粘合促进基团的聚合物组分,所述粘合促进基团能够提高含有聚合物的光致抗蚀剂涂层对下面的基底,包括SiON层的粘合力。
申请公布号 CN1527135A 申请公布日期 2004.09.08
申请号 CN03110718.4 申请日期 2003.03.05
申请人 希普利公司 发明人 G·N·泰勒;G·G·登
分类号 G03F7/028;G03F7/16;G03F7/00 主分类号 G03F7/028
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 戈泊
主权项 1.一种微电子设备基底,其包括:硅氧氮化物层,在硅氧氮化物层上的光致抗蚀剂组合物涂层,其中,所述光致抗蚀剂组合物包括聚合物和一种或多种光酸发生器化合物,聚合物包括一种或多种粘合促进基团。
地址 美国马萨诸塞州