发明名称 |
介电陶瓷及其制备方法和多层陶瓷电容器 |
摘要 |
本发明提供了一种在还原性气氛中经过焙烧而形成的介电陶瓷。通过使用上述的介电陶瓷而形成的多层陶瓷电容器,甚至当从那里形成的介电陶瓷层的厚度减小时,也具有优良的可靠性。该介电陶瓷具有晶粒;和位于晶粒之间的晶粒间界和三相点。晶粒包括:由ABO<SUB>3</SUB>(其中A是Ba和Ca,或Ba、Ca和Sr;B是Ti,或者Ti和其被Zr和Hf中的至少一种所代替的一部分)表示的钙钛矿化合物组成的钙钛矿晶粒,和由包括至少Ba,Ti和Si的晶体氧化物所组成的晶体氧化物晶粒,约有80%或更多数量的三相点的截面面积各自为约8nm<SUP>2</SUP>或更小。 |
申请公布号 |
CN1527331A |
申请公布日期 |
2004.09.08 |
申请号 |
CN200410008201.2 |
申请日期 |
2004.03.01 |
申请人 |
株式会社村田制作所 |
发明人 |
中村友幸;加藤成;武藤和夫;佐野晴信 |
分类号 |
H01G4/12;H01B3/12;C04B35/00;H01G4/30 |
主分类号 |
H01G4/12 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
陈瑞丰 |
主权项 |
1.一种介电陶瓷,其包含有位于晶粒之间的三相点的多种晶粒,其中所述的晶粒包含:由ABO3(其中A是Ba和Ca,及任选的Sr;且B是Ti和任选的Zr和Hf之中的至少一种)表示的钙钛矿化合物组成的钙钛矿晶粒,和由包括至少Ba、Ti和Si的晶体氧化物所组成的晶体氧化物晶粒,和约80%或更多数量的所述三相点的截面面积为约8nm2或更小。 |
地址 |
日本京都府 |