| 发明名称 | 含硅锗层的互补金属氧化物半导体器件和基片及形成方法 | ||
| 摘要 | CMOS集成电路器件包括电绝缘层和在电绝缘层上的未形变的硅有源层。并在未形变的硅有源层表面上设置绝缘栅电极。在电绝缘层和未形变的硅有源层之间还设置Si<SUB>1-x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>层。Si<SUB>1-x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>层与未形变的硅有源层形成第一结，并具有沿从峰值朝未形变的硅有源层的表面延伸的第一方向单调地降低的渐变Ge浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN1165085C | 申请公布日期 | 2004.09.01 |
| 申请号 | CN01100202.6 | 申请日期 | 2001.01.05 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 裵金钟;崔兑僖;金相秀;李化成;李来寅;李庚旭 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/02;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种绝缘体上半导体型场效应晶体管，包括：电绝缘层；在所述电绝缘层上的未形变硅有源层；在所述未形变的硅有源层表面上的绝缘栅电极；以及设置在所述电绝缘层和所述未形变的硅有源层之间的Si1-xGex层，所述Si1-xGex层与所述未形变的硅有源层形成第一结，其中渐变的Ge浓度沿从峰值朝表面延伸的第一方向单调降低。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||