| 发明名称 | 磁阻效应元件、磁头和磁存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种磁阻效应元件、磁头和磁存储装置，其中，所述磁阻效应元件；其特征在于，具备强磁性膜和以一般式：R<SUB>X</SUB>Mn<SUB>100－X</SUB>，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X满足2≤X≤80，或者一般式：(R<SUB>X’</SUB>Mn<SUB>1－X’</SUB>)<SUB>100－Y</SUB>Fe<SUB>Y</SUB>，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X’满足0.02≤X’≤0.80，Y满足0＜Y＜30所表示的反强磁性膜，上述反强磁性膜具有进行面内取向，而且与上述强磁性膜进行交换结合而构成的交换结合膜；和用以将电流对上述交换结合膜通电的电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1523575A | 申请公布日期 | 2004.08.25 |
| 申请号 | CN200310122542.8 | 申请日期 | 1998.04.03 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 福家广见;齐藤和浩;中村新一;岩崎仁志;佐桥政司 |
| 分类号 | G11B5/39;G01R33/09 | 主分类号 | G11B5/39 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种磁阻效应元件；其特征在于，具备强磁性膜和以一般式：RXMn100-X’式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X满足2≤X≤80，或者一般式：(RX’，Mn1-X’)100-YFeY 式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X’满足0.02≤X’≤0.80，Y满足0＜Y＜30所表示的反强磁性膜，上述反强磁性膜具有进行面内取向，而且与上述强磁性膜进行交换结合而构成的交换结合膜；和用以将电流对上述交换结合膜通电的电极。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||