半导体器件及其制造方法

摘要

在衬底上形成包含第一导电层图形和绝缘掩模层图形的布线。在布线的侧壁上形成绝缘间隔。形成包含部分第二导电层的自对准接触焊盘，使其与绝缘间隔的表面接触以及填充布线之间的间隙。在形成有接触焊盘的衬底上形成层间介电层并对其进行蚀刻，以形成暴露接触焊盘的接触孔。在通过接触孔而暴露的接触焊盘上形成选择性外延硅层，以覆盖绝缘掩模层图形。因此，防止了接触孔内的下层布线和上层布线之间的短路。

主权项

1.一种半导体器件包括：半导体衬底；形成在衬底上且彼此分开的布线，每个布线包含第一导电层图形和形成在第一导电层图形上的绝缘掩模层图形；形成在布线的侧壁上的绝缘间隔；包含部分第二导电层的自对准接触焊盘，每个自对准接触焊盘与绝缘间隔的表面接触，以填充布线之间的间隙；形成在接触焊盘、布线和衬底上的层间介电层，该层间介电层包含暴露接触焊盘的接触孔；以及形成在通过接触孔而暴露的接触焊盘上的选择性外延硅层，以覆盖绝缘掩模层图形。