发明名称 于摘去一薄层后之包含有缓冲层之晶圆之回收
摘要 一种在摘除至少一有用层之后回收施体晶圆(10)之方法,该施体晶圆(10)依序包含一基板(1)、一缓冲构造(I)、以及在摘除前之一有用层。该方法包含关于发生摘除之侧面上的施体晶圆(10)之一部分之物质之移除,以使在移除物质之后,残留有能够再使用之缓冲构造(I)之至少一部分,以作为在有用层之后来的摘除期间之缓冲构造(I)之至少一部分。本文献又关于:一种产生施体晶圆(10)之方法,其可依据本发明被回收;从施体晶圆(10)摘除一薄层之数种方法,依据本发明施体晶圆(10)可被回收;数个施体晶圆(10),依据本发明可被回收。
申请公布号 TW200414417 申请公布日期 2004.08.01
申请号 TW092123247 申请日期 2003.08.25
申请人 斯欧埃技术公司 发明人 齐赛伦;奥尼特;欧斯特;樊伦特;赤津豪
分类号 H01L21/762 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人 黄庆源
主权项
地址 法国