| 摘要 |
一种侦测储存于双位元电介质记忆胞(48)之阵列(40)内，第一双位元电介质记忆记忆胞(49)之电荷储存区域(62)之电荷之方法，包含将与第一记忆记忆胞(49)之通道区域(50)形成一源极接面之第一位元线(201)，耦合至地线(68)。一高电压施加至第一记忆记忆胞(49)之闸极(60)与第二位元线(202)，即第一位元线(201)右侧之下一位元线，且仅藉由通道区域(50)与第一位元线(201)分隔。隔绝第三位元线(203)，即第二位元线(202)右侧之下一位元线，使得其电位仅受其与位于第三位元线(203)相反侧之第二通道区域(50)与第三通道区域(50)间之接面所影响。一高电压施加至预先充电位元线，位于第三位元线(203)之右侧，并侦测于第二位元线(202)之电流，以决定第一记忆记忆胞(49)之源极位元(62)之程式化状态。 |
