半导体基板的制造方法,半导体基板及半导体装置

摘要

【课题】关于拥有歪斜Si／SiGe／Si构造之半导体基板的制造，提供因使第1SiGe层与第2SiGe层介面的残留氧浓度减低，拥有高歪斜舒缓度之临界膜以下的歪斜SiGe膜，拥有缺陷密度减低之歪斜SiGe层之半导体基板的制造方法【解决手段】基板1上形成第1缓冲Si层2，第1缓冲Si层2上使第1SiGe层3与第1Si层4连续成长，所得到的基板1上离子注入／退火使第1SiGe层3晶格舒缓，所得到的基板1上，使第2缓冲Si层5与第2SiGe层6连续成长，在第2SiGe层6上形成第2Si层7之半导体的制造方法，更为，在形成第2缓冲Si层5前，将第1Si层4表面洗净，压抑残留氧浓度之半导体的制造方法。