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发明名称
具有改良载子移动性之垂直双闸极场效电晶体( FINFET)及其形成方法
摘要
一种垂直双闸极MOSFETs(FinFET)装置使用受应力之矽来改良载子移动性。于一方法中,将FinFET基体(46)图形化形成一层矽化锗(SiGe)(42)覆盖于电介质层上(40)。接着形成矽磊晶层(34)于该矽化锗FinFET基体(46)上。由于本质矽以及作为磊晶矽生长之模板的矽化锗晶格尺寸不同,因而于磊晶矽中产生应力。受应力之矽比放松的矽具有更高的载子移动性,因此受应力的磊晶矽于FinFET中提供较高的载子移动性。将受应力的矽通道层利用于FinFET中可实现较高的驱动电流。
申请公布号
TW200414452
申请公布日期
2004.08.01
申请号
TW092126057
申请日期
2003.09.22
申请人
高级微装置公司
发明人
林明仁;丘政锡;王海宏;相奇
分类号
H01L21/84;H01L29/786
主分类号
H01L21/84
代理机构
代理人
洪武雄;陈昭诚
主权项
地址
美国
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