Vorrichtung und Verfahren zum Verbessern der Resistlinienrauhheit bei der Bearbeitung von Halbleiterscheiben

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verhindern eines Aminogruppentransports von der Oberfläche einer beschichteten Halbleiterscheibe in eine Photoresistschicht durch Aufbringen einer dünnen Oxynitridschicht auf der Siliziumnitridschicht unter Verwendung eines Hoch-Temperaturverfahrens mit Sticksoff (N¶2¶O) und Sauerstoff (O¶2¶) bei etwa 300 DEG C für etwa 50 bis 120 Sekunden. Durch die Oxidation der Siliziumnitridschicht wird die von den Negativeffekten des Aminogruppentransports verursachte Rauheit beseitigt. Darüber hinaus kann dieses Hoch-Temperaturverfahren ohne Plasma-Einsatz für die fortschrittlichere 193-Nanometer-Technologie verwendet werden, und ist nicht auf die 248-Nanometer-Technologie beschränkt. Ein zweites Verfahren, um die Siliziumnitridschicht vor dem Ausbilden der Antireflexionsbeschichtung mit einer oxidierenden Umgebung in Kontakt zu bringen, besteht in der Zuleitung eines Gemisches aus N¶2¶H¶2¶ und Sauerstoff-(O¶2¶)-Asche bei einer Temperatur von mindestens 250 DEG C für etwa sechs Minuten. Anschließend wird eine Sauerstoff-Plasmareinigung und/oder eine Ozonreinigung durchgeführt. Danach erfolgt das Ausbilden der Antireflexions- und Photoresistschicht.