发明名称 Verfahren zur Kontrollierung von Zwischenoxyd bei einer monokristallinischen/polykristallinischen Silizium-Zwischenschicht
摘要
申请公布号 DE60005541(T2) 申请公布日期 2004.07.01
申请号 DE20006005541T 申请日期 2000.12.20
申请人 STMICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA 发明人 CAMALLERI, CATENO MARCO;LORENTI, SIMONA;CALI', DENISE;VASQUEZ, PATRIZIA;FERLA, GIUSEPPE
分类号 H01L21/225;H01L21/331;H01L29/73;(IPC1-7):H01L21/331 主分类号 H01L21/225
代理机构 代理人
主权项
地址