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发明名称
Verfahren zur Kontrollierung von Zwischenoxyd bei einer monokristallinischen/polykristallinischen Silizium-Zwischenschicht
摘要
申请公布号
DE60005541(T2)
申请公布日期
2004.07.01
申请号
DE20006005541T
申请日期
2000.12.20
申请人
STMICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA
发明人
CAMALLERI, CATENO MARCO;LORENTI, SIMONA;CALI', DENISE;VASQUEZ, PATRIZIA;FERLA, GIUSEPPE
分类号
H01L21/225;H01L21/331;H01L29/73;(IPC1-7):H01L21/331
主分类号
H01L21/225
代理机构
代理人
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地址
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