| 发明名称 |
MOS-Transistor und Verfahren zur Herstellung desselben |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69632567(D1) |
申请公布日期 |
2004.07.01 |
| 申请号 |
DE19966032567 |
申请日期 |
1996.08.15 |
| 申请人 |
SHARP K.K., OSAKA |
发明人 |
IGUCHI, KATSUJI;AZUMA, KENICHI;KAWAMURA, AKIO |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/265;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/423;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/823;H01L21/762 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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