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Bei dem Verfahren wird die Halbleiterprobe (12), die insbesondere aus Galliumnitrid besteht, in Kontakt gebracht mit einer Elektrolyt-Flüssigkeit (6). Die dadurch gebildete Kontaktfläche (14) der Halbleiterprobe (12) wird durch die Elektrolyt-Flüssigkeit (6) hindurch mit UV-Licht (18) bestrahlt. Der bei der UV-Licht-Bestrahlung an der Kontaktfläche (14) entstehende Photostrom (I) wird gemessen. Um die Ätzqualität zu erhöhen, wird die Kontaktfläche (14) wiederholt einem Strahl (25) von frischer Elektrolyt-Flüssigkeit (6) umgesetzt, vorzugsweise in Form von Druckstößen (48). DOLLAR A Die Einrichtung zum photoelektrochemischen Ätzen einer Halbleiterprobe (12), vorzugsweise einer Gallium-Nitrid-Probe, besitzt ein Gefäß (2) zur Aufnahme von Elektrolyt-Flüssigkeit (6), eine UV-Lichtquelle zum Bestrahlen der Halbleiterprobe (12) mit UV-Licht (18) durch die Elektrolyt-Flüssigkeit (6) hindurch und eine Messeinrichtung (44) zur Messung des bei der UV-Licht-Bestrahlung an der Kontaktfläche (14) entstehenden Photostroms (I). Sie ist gekennzeichnet durch eine auf die eingesetzte Halbleiterprobe (12) gerichtete Zuleitung (20) für frische Elektrolyt-Flüssigkeit (6) und durch eine an die Zuleitung (20) angeschlossene Vorrichtung (22) zur wiederholten Erzeugung eines auf die Halbleiterprobe (12) gerichteten Elektrolyt-Flüssigkeits-Strahls (25), vorzugsweise in Form eines Druckstoßes (48).
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