Integriertes Schaltkreispackage mit vergrößerter Chip-Klebefläche

摘要

Es wird ein Herstellungsverfahren mit vergrößerter effektiver Chip-Klebefläche offenbart. Eine flüssige A-Zustandspaste (121) wird auf ein Substrat (110) aufgebracht und zu einer B-Zustandsfilmschicht (122) teilweise ausgehärtet. Die B-Zustandsfilmschicht (122) wird während eines Chip-Befestigungsschritts und eines elektrischen Verbindungsschritts aufrechterhalten, ohne dabei vollständig auszuhärten. Während eines Einformens ist der Zusammenpressdruck für das entsprechende Kapselmaterial (150) größer (6,89 x 106 bis 10,34 x 106 Pa bzw. 1000 bis 1500 psi) als der Chip-Befestigungsdruck. Hierdurch wird die B-Zustandsfilmschicht (122) dünn zusammengedrückt und die effektive Chip-Klebefläche vergrößert. Die B-Zustandsfilmschicht (122) und das Kapselmaterial (150) werden beim Einformen gleichzeitig ausgehärtet.