| 发明名称 | 改进的接触和深沟槽构图 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的构图方法，包括以下步骤，提供衬底层，衬底层上形成有绝缘层并且掩模层形成在绝缘层上，掩模层可相对于绝缘层被选择地腐蚀，对掩模层构图，在掩模层中形成第一组基本平行的线，对绝缘层构图，形成向下通到衬底层的矩形孔。还包括一种根据本发明的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1154018C | 申请公布日期 | 2004.06.16 |
| 申请号 | CN00102120.6 | 申请日期 | 2000.01.06 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术北美公司;国际商业机器公司 | 发明人 | T·S·鲁普;A·托马斯;F·扎克 |
| 分类号 | G03F7/22;H01L21/027;H01L21/30;H01L23/52;H01L21/768 | 主分类号 | G03F7/22 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的构图方法，其特征在于包括以下步骤：提供衬底层，衬底层上形成有绝缘层，并且掩模层形成在绝缘层上，掩模层可相对于绝缘层被选择地腐蚀；对掩模层构图，在掩模层中形成第一组平行线；对保护层构图以形成第二组平行线，这些平行线设成与第一组平行线垂直；根据保护层和掩模层的第一组平行线腐蚀穿通绝缘层，以便在绝缘层中形成矩形孔。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||