Aufbau und Verfahren zum Herstellen eines Hochleistungshalbleiterbauelements mit einem schmalen Dotierungsprofil

摘要

Ein Aufbau und ein Verfahren zum Herstellen eines NÜN-Heteroübergang-Bipolartransistors sehen ein Halbleitersubstrat mit einem ersten Bereich, der ein Dotiermittel enthält, zum Ausbilden eines Basisbereichs des Transistors vor. Ein zweiter Bereich neben dem ersten Bereich wird verwendet, um einen Emitterbereich des Transistors zu bilden. Ein Zwischengitter-Fallenmaterial reduziert die Diffusion von Dotiermitteln in dem Basisbereich während einer nachfolgenden thermischen Verarbeitung.