MOS-Transistor und Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Bei einem MOS-Transistor und einem Verfahren zur Herstellung desselben wird eine Gate-Struktur einschließlich einer Gate-Isolationsschicht und einer Gate-Elektrode auf einem Halbleitersubstrat ausgebildet. Eine erste Isolationsschicht wird zum Bedecken der Gate-Struktur ausgebildet. Eine zweite Isolationsschicht wird auf dem Substrat ausgebildet und ist beabstandet von der ersten Isolationsschicht. Ein leicht dotierter Source/Drain-Bereich wird in den Oberflächenabschnitten des Substrats zwischen einer zweiten Isolationsschicht und der Gate-Struktur ausgebildet. Eine Source/Drain-Erstreckungsschicht wird auf dem leicht dotierten Source/Drain-Bereich ausgebildet. Ein stark dotierter Source/Drain-Bereich wird auf der zweiten Isolationsschicht ausgebildet, um so mit der Source/Drain-Erstreckungsschicht verbunden zu sein. Der Kurzkanaleffekt wird unterdrückt und die Source/Drain-Übergangskapazität verringert.