| 摘要 |
本发明系有关一种半导体装置及其制造方法，其目的在于防止薄膜电晶体之闸极绝缘层之绝缘破坏或绝缘泄漏之发生，其特征为：使TFT10之闸极电极20隔着闸极绝缘层66而电容结合之第1半导体层15、以及保持电容Csc之保持电容线42隔着闸极绝缘层66而电容结合之第2半导体层16相互分离，并且藉由金属配线40连接第1半导体层15与第2半导体层16。亦即，分别使TFT10之闸极电极20与第1半导体层15电容结合，以及使保持电容Csc之保持电容线42与第2半导体层16电容结合，故会因为该结合而使各半导体层之电位产生变化，因此，在闸极绝缘层66不会产生极大的电位差，而可防止绝缘破坏或绝缘泄漏的发生。 |
