半导体装置制造方法

摘要

一种多层配线构造之半导体装置之制造方法，其至少一个绝缘膜为具有500μm^2以上之表面积且具有配线宽度为10μm以下之一组导电部；系包含有：以化学机械研磨将绝缘膜表面平坦化用之研磨工程(501)，与将平坦化之绝缘膜表面以洗净药液洗净之药液洗净工程(502)，与将前述洗净药液以漂洗液加以除去之漂洗工程(503)。于前述漂洗工程中系使用溶存氧之浓度为抑制至6重量ppm以下之水作为漂洗液者。