发明名称 光刻装置、器件制造方法及其制造出的器件
摘要 公开了一种光刻投影装置1及其方法,其中干涉仪系统6,8,14,15,16具有在第一测量工位4和第二曝光工位2上延伸的作用范围。装置初始存储掩模MA相对于掩模台MT的位置。通过平面电动机将晶片台WTa从第一工位传送到第二工位,同时完全处于干涉仪系统的控制下。这样可以缩短通过曝光阶段2的关键路径。装置存储在测量阶段中晶片W相对于晶片台WTa的位置。如果掩模相对于掩模台的位置已知的话,那么曝光阶段中的后续对准可在较短的时间内进行。
申请公布号 CN1497348A 申请公布日期 2004.05.19
申请号 CN03125493.4 申请日期 2003.09.22
申请人 ASML荷兰有限公司 发明人 N·J·M·范德尼尤维拉尔
分类号 G03F7/20;G03F9/00;G06F9/00 主分类号 G03F7/20
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 章社杲
主权项 1.一种光刻投影装置,包括:-至少一个用于固定衬底的衬底台;-在其中例如可对所述衬底进行测量的第一工位;-在其中对所述衬底进行曝光的第二工位;-用于测量所述衬底台在所述第一和第二工位中的位移的位移测量系统;-用于将所述衬底台在所述第一和第二工位之间传送的传送装置;-用于提供辐射投影光束的与所述第二工位相关的辐射系统;-用于支撑图案形成装置的支撑结构,所述图案形成装置用于按照所需图案来使所述投影光束形成图案;-用于在所述衬底处于所述第二工位时将形成图案的光束投影到所述衬底的目标部分上的投影系统;其中-所述位移测量系统可在所述衬底台于所述第一和第二工位之间传送的过程中连续地测量所述衬底台在至少两个方向上的位移,其特征在于,所述传送装置为平面电动机。
地址 荷兰维尔德霍芬
您可能感兴趣的专利