半导体装置及其制造方法

摘要

一种包含存储单元的半导体装置，所述存储单元具有通过第1栅极绝缘层而形成在半导体基片上的字栅、杂质层和侧壁状的第1、第2控制栅极。所述第1、第2控制栅极的剖面形状为矩形。

主权项

1.一种半导体装置，具有由多个行及列排列成栅格状的非易失性存储装置而形成的存储单元列阵，其特征在于：所述非易失性存储装置包括：通过第1栅极绝缘层形成在半导体层上方的字栅；形成在所述半导体层上的构成源极区域或漏极区域的杂质层；分别沿着所述字栅的对向的2个侧面而形成的侧壁状的第1及第2控制栅极，所述第1控制栅极通过第2栅极绝缘层被配置在所述半导体层上，并且通过第1侧绝缘层被配置在所述字栅上；所述第2控制栅极通过第2栅极绝缘层被配置在所述半导体层上，并且通过第1侧绝缘层被配置在所述字栅上；所述第1及第2控制栅极分别在第1方向上被连续地配置，并且在与所述第1方向交叉的第2方向上，通过所述杂质层而配置相邻的1组第1及第2控制栅极，所述第1及第2控制栅极的剖面形状为矩形。