| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在门栅电极中，提供第一多晶硅薄膜，具有相关预定硅晶面取向和晶粒直径小于第一多晶硅薄膜的晶粒直径的第二多晶硅薄膜，使得即使当在第二多晶硅薄膜中形成硅化物层时局部存在硅化速度不同的部分，与第二多晶硅薄膜中未反应部分的硅化反应仍可以比与第一多晶硅薄膜的硅化反应更快。 | ||
| 申请公布号 | CN1495903A | 申请公布日期 | 2004.05.12 |
| 申请号 | CN03158707.0 | 申请日期 | 2003.09.19 |
| 申请人 | 飞索有限责任公司 | 发明人 | 早川幸夫 |
| 分类号 | H01L27/092;H01L29/78;H01L21/8238;H01L21/28;H01L21/336 | 主分类号 | H01L27/092 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李德山 |
| 主权项 | 1.半导体器件，包括：半导体基底；在所述半导体基底上形成的门栅绝缘膜；在所述门栅绝缘膜上形成的门栅电极，所述门栅电极包括：在所述门栅绝缘膜上形成的第一多晶硅薄膜；在所述第一多晶硅薄膜上方形成的第二多晶硅薄膜，所述第二多晶硅薄膜的晶态不同于所述第一多晶硅薄膜的晶态，并且至少其上层被硅化。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||