磁随机存取存储器

摘要

提供一种磁随机存取存储器(MRAM)。其中，该MRAM的MTJ元件(35)，具有夹着隧道阻挡薄膜(36)配置的记录层(37)和参照层(38)、在记录层(37)中存储数据。为了有选择地对磁电阻元件(35)赋予磁场配设有电流驱动线(56)。记录层(37)具备第一强磁性层的同时参照层(38)具备第二强磁性层；对于由电流驱动线(56)赋予上述磁电阻元件(35)的磁场，保持上述第二强磁性层的磁化方向的保持力设定为小于保持上述第一强磁性层的磁化方向的保持力。

主权项

1.一种磁随机存取存储器，包括：在配置成为矩阵形状的每个地址配设存储单元而成的存储单元阵列，该存储单元具有夹着隧道阻挡薄膜配置的记录层和参照层，且以在上述记录层上存储数据的磁电阻元件作为存储元件；与上述存储单元阵列的各行相连接的字线；与上述存储单元阵列的各列相连接的位线；用来选择上述字线的行译码器；以及用来选择上述位线的列译码器；在读出存储于上述存储单元阵列内的选择存储单元的记录层中的存储数据时，在利用上述字线及上述位线中的至少一方将在不破坏上述存储数据情况下可以改变上述选择存储单元的参照层的磁化方向的读出用的磁场施加于上述磁电阻元件的同时，进行读出操作，判断上述存储数据的值。