发明名称 | 用于辐射热测量计阵列的高吸收宽带像素 | ||
摘要 | 一微辐射计阵列具有像素,该像素具有有金属吸收器层的二氧化硅的薄平台,并且该像素与衬底反射器具有谐振缝隙。氧化钒的像素电阻器具有低的总阻抗,其金属触点位于相对边上。 | ||
申请公布号 | CN1492992A | 申请公布日期 | 2004.04.28 |
申请号 | CN01822913.1 | 申请日期 | 2001.12.20 |
申请人 | 霍尼韦尔国际公司 | 发明人 | B·E·科尔 |
分类号 | G01J5/00 | 主分类号 | G01J5/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;陈霁 |
主权项 | 1.一微辐射计像素,具有通过至少一个支撑壁接触并悬在该衬底上的对温度变化敏感的电阻器和一平台体,该平台体的厚度等于或小于约0.5um且包括一用于提高吸收的金属层。 | ||
地址 | 美国新泽西州 |