发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
摘要 | 根据本发明的半导体器件包括半导体元件1上提供的众多电极压焊点,通过键合线W与电极压焊点连接的引脚L以及半导体元件1上提供的使得众多电极压焊点中处理公共信号的电极压焊点电连接的公用线2a和2b。至少在公用线2a和2b的表面覆盖着一层绝缘部分,例如,第二层绝缘粘附带。这样,键合线的弯曲高度就可以降低,从而得到较薄的封装。 | ||
申请公布号 | CN1147931C | 申请公布日期 | 2004.04.28 |
申请号 | CN97114113.4 | 申请日期 | 1997.11.28 |
申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 内田康文 |
分类号 | H01L23/48;H01L21/60 | 主分类号 | H01L23/48 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
主权项 | 1.一种半导体器件,包括:半导体元件上众多电极压焊点;通过键合线与所述电极压焊点连接的引脚;所述半导体元件上提供的公用线,这些公用线为所述众多电极压焊点中处理公共信号的电极压焊点提供电连接,所述公用线每条都包括粘附在所述半导体元件上的第一层绝缘粘附带,层叠在所述第一层绝缘粘附带上的一层导电部分,以及层叠在所述导电部分上的第二层绝缘粘附带,有孔提供在所述第一层绝缘粘附带与各个处理所述公共信号的电极压焊点重合的位置处,而且所述的各个电极压焊点通过镶嵌在所述孔中的导电部分和所述的导电部分电连接。 | ||
地址 | 日本东京都 |