发明名称 半导体器件的接触部分和包括该接触部分的用于显示器的薄膜晶体管阵列板
摘要 在衬底上形成栅极布线;接着,在形成一栅极绝缘膜后,在其上顺序形成一半导体层和一欧姆接触层;其次,形成数据布线;再沉积一钝化层和一有机绝缘膜并对其进行构图,以形成分别用于暴露漏极电极、栅极衬垫和数据衬垫的接触孔,其中,所述接触孔周围的有机绝缘膜形成得比其它部分中的有机绝缘膜薄;然后,通过灰磨工艺去除接触孔周围的有机绝缘膜,以暴露接触孔中的钝化层的边界线,从而消除钻蚀,之后,形成分别连接至漏极电极、栅极衬垫和数据衬垫的一像素电极、一辅助栅极衬垫和一辅助数据衬垫。
申请公布号 CN1491442A 申请公布日期 2004.04.21
申请号 CN02804810.5 申请日期 2002.10.08
申请人 三星电子株式会社 发明人 金保成;郑宽旭;洪完植;金湘甲;洪雯杓
分类号 H01L29/786;H01L23/52;H01L21/768;H01L21/28;G02F1/1343;G02F1/136;G02F1/1345 主分类号 H01L29/786
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1.一种半导体器件的制造方法,包括:在衬底上形成第一布线;在该第一布线上形成一下薄膜;在该下薄膜上用感光性材料形成一感光图案;用该感光薄膜作为刻蚀掩模,通过刻蚀所述下薄膜形成用于暴露所述第一布线的多个接触孔;通过灰磨工艺去除部分感光薄膜图案,以暴露限定出所述多个接触孔的下薄膜的边界线;以及形成经所述多个接触孔连接至所述第一布线的第二布线。
地址 韩国京畿道