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Die Erfindung betrifft einen Fotoresist sowie ein Verfahren zur Strukturierung von Substraten, wobei der erfindungsgemäße Fotoresist verwendet wird. Der Fotoresist enthält ein Triphenylsulfonium-perfluoralkansulfonat als Fotosäure und Triphenylsulfoniumacetat als Fotobase. Der Fotoresist zeigt eine sehr hohe Belichtungsempfindlichkeit und eignet sich daher hervorragend für die Elektronenstrahl-Lithographie. Es kann daher eine Auflösung von weniger als 90 nm erreicht werden, bei einer Empfindlichkeit von < 4 muC/cm·2·.
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