| 发明名称 | 纳米磷化物半导体材料的水热合成制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明纳米磷化物半导体材料的水热合成制备方法，特征是将IIIA族金属氧化物溶入质量百分浓度为20～30％的氢氧化钠或氢氧化钾的水溶液中，加入按化学计量比过量0.3－2倍的单质白磷，再加入单质碘，然后在密封的高压釜中，于120－200℃温度反应8－20小时，最后进行产物的洗涤和干燥。本发明方法避免了现有方法使用有机溶剂和金属有机化合物等危险试剂的缺点，原料易得，操作简便，条件温和，产率高，适合于批量生产。 | ||
| 申请公布号 | CN1488573A | 申请公布日期 | 2004.04.14 |
| 申请号 | CN02138423.1 | 申请日期 | 2002.10.10 |
| 申请人 | 中国科学技术大学 | 发明人 | 谢毅;高善民;陆俊 |
| 分类号 | C01B25/08 | 主分类号 | C01B25/08 |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种纳米磷化物半导体材料的水热合成制备方法，其特征在于：将IIIA族金属氧化物溶入质量百分浓度为20～30％的氢氧化钠或氢氧化钾的水溶液中，加入按化学计量比过量0.3-2倍的单质白磷，再加入单质碘，然后在密封的高压釜中，于120-200℃温度反应8-20小时，最后进行产物的洗涤和干燥。 | ||
| 地址 | 230026安徽省合肥市金寨路96号 | ||