| 发明名称 | 半导体工艺设备的碳氮化物涂层部件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体工艺设备如等离子体腔的一种包括一个含碳氮化物的表面的抗腐蚀部件，及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1488008A | 申请公布日期 | 2004.04.07 |
| 申请号 | CN01822451.2 | 申请日期 | 2001.11.21 |
| 申请人 | 兰姆研究公司 | 发明人 | R·J·奥丹尼尔;C·C·常;J·E·多尔蒂 |
| 分类号 | C23C14/06;H01L21/00;C23C16/46;C23C16/44;B01J19/02 | 主分类号 | C23C14/06 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
| 主权项 | 1.一种对半导体工艺设备部件表面进行涂层的方法，该方法包括：(a)可选地，在半导体工艺设备部件表面沉积一个第一中间涂层；(b)可选地，在上述第一中间层或者上述表面上沉积一个第二中间涂层；并(c)在上述部件上沉积一个含碳氮化物的涂层以形成一个抗侵蚀的外表面。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||