| 主权项 |
1.一种避免对氮化物唯读记忆体(nitride read onlymemory,NROM)进行口袋型离子布値(pocket implant)制程时,发生电子二次入射(electron secondary injection)的方法,该氮化物唯读记忆体包含有一形成于矽基底表面之ONO(oxide-nitride-oxide)层,且该ONO层表面形成有复数条纵向排列之位元线遮罩(bit line mask),而未被该位元线遮罩覆盖之区域之该基底中则形成有复数条N型导电形式之位元线,该方法包含有下列步骤:进行一铟(Indium)离子的口袋型离子布植制程,且该口袋型离子布植制程系以与该ONO层接近平行的角度,以于未被该位元线遮罩覆盖之区域的该基底中布植形成复数个具有P型导电形式之超浅掺杂区域;以及活化该超浅掺杂区域中的铟离子,以于该矽基底表面形成一浅接面(ultra-shallow junction);其中该口袋型离子布植制程系为一低布値能量、高掺植剂量的离子布植制程,以避免在进行该口袋型离子布値制程时,发生电子二次入射的现象。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该ONO层系由一底氧化(bottom oxide)层、一氮化矽层、以及一上氧化(top oxide)层所构成。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该铟离子布値制程中之入射角度为10~25,使用之掺质剂量为0.751013~2.51013,使用之能量为10~60 KeV。4.一种于一半导体晶片表面制作一超浅接面(ultra-shallow junction)的方法,该半导体晶片之基底上设有复数个氮化物唯读记忆体(NROM)以及复数条埋藏式位元线形成于邻接该复数个氮化物唯读记忆体(NROM)之基底表面,该方法包含有下列步骤:进行一铟(Indium)离子布植制程,且该离子布植制程系以与该ONO层接近平行的角度,以于未被该位元线遮罩覆盖之区域的该基底中布植形成复数个具有P型导电形式之超浅掺杂区域;以及活化各该超浅掺杂区域中的铟离子,以于该矽基底表面形成复数个超浅接面。5.如申请专利范围第4项之方法,其中各该超浅接面系分别用来作为一口袋型离子布値(pocket implant)。6.如申请专利范围第4项之方法,其中该离子布植制程系为一低布値能量、高掺植剂量的离子布植制程,以避免在进行该离子布値制程时,发生电子二次入射的现象,进而加快该氮化物唯读记忆体(NROM)的写入(programming)速度并减少消除(erase)时间。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该铟离子布値制程中之入射角度为10~25,使用之掺质剂量为0.751013~2.51013,使用之能量为10~60 KeV。图式简单说明:图一至图六为习知制作一氮化物唯读记忆体的方法示意图。图七与图八为本发明进行一氮化物唯读记忆体的口袋型离子布値制程之方法示意图。 |
