| 发明名称 |
Vertical power MOSFET having a trench gate electrode and method of making the same |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1271655(A3) |
申请公布日期 |
2004.03.17 |
| 申请号 |
EP20020014018 |
申请日期 |
2002.06.27 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
ONO, SYOTARO;KAWAGUCHI, YUSUKE |
| 分类号 |
H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/08 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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