| 发明名称 | 判定半导体制造工艺状态的方法和装置及半导体制造装置 | ||
| 摘要 | 利用容器内发生的等离子体，蚀刻处理配置于该容器内，而其表面具有多层膜的半导体晶片的半导体制造装置中，在上述处理规定的期间，在显示部显示所得的上述晶片表面来的多种波长光的变化；以及根据显示的多种波长光的变化量，判定上述蚀刻处理的状态。 | ||
| 申请公布号 | CN1479352A | 申请公布日期 | 2004.03.03 |
| 申请号 | CN02141414.9 | 申请日期 | 2002.08.30 |
| 申请人 | 株式会社日立高新技术 | 发明人 | 臼井建人;吉开元彦;吉田刚;山本秀之 |
| 分类号 | H01L21/3065;H01L21/66 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1、一种半导体制造装置，使用容器内发生的等离子，蚀刻处理配置于该容器内且表面上具有多层膜的半导体晶片，该半导体制造装置具备：显示部，用来显示来自上述蚀刻处理的规定期间内所得到的上述晶片表面的多种波长光的变化；以及根据该显示的多种波长光的变化量，判定上述蚀刻处理状态的判定单元。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||