| 主权项 |
1.一种洗涤晶圆用之洗涤水,用于单一晶圆旋转处理之冲洗该晶圆的步骤中,其具有不大于1M.cm的一电阻率及7.5至9的pH値,并含有氢氧化铵、氢氧化四甲铵、或胆硷,且为还原水。2.如申请专利范围第1项之洗涤晶圆用之洗涤水,其中该洗涤水具有-0.7至-0.2V的一氧化还原电位。3.如申请专利范围第1项之洗涤晶圆用之洗涤水,其中该洗涤水含有0.2至5ppm之浓度的氢气。4.一种晶圆洗涤方法,用于单一晶圆旋转处理的冲洗步骤中,包含旋转一晶圆步骤,系绕着垂直于该晶圆之一表面的一轴旋转,而喷洒洗涤水至该晶圆的该表面上,俾洗涤该表面,该洗涤水具有不大于1M.cm的一电阻率及7.5至9的pH値,并含有氢氧化铵、氢氧化四甲铵、或胆硷,且为还原水。5.如申请专利范围第4项之晶圆洗涤方法,其中该洗涤水具有-0.7至-0.2V的一氧化还原电位。6.如申请专利范围第4项之晶圆洗涤方法,其中该洗涤水含有0.2至5ppm之浓度的氢气。7.如申请专利范围第4项之晶圆洗涤方法,其中该晶圆以20至4000rpm的速度旋转。8.如申请专利范围第4项之晶圆洗涤方法,其中该洗涤水的流动速率在0.2至5公升/分钟之内。9.如申请专利范围第4项之晶圆洗涤方法,其中用离心力去除洗涤该晶圆所用之该洗涤水。10.如申请专利范围第4项之晶圆洗涤方法,其中该晶圆洗涤方法为藉由CMP平坦化该晶圆的表面之后所进行的一晶圆洗涤方法,并依据以下步骤进行:藉由CMP平坦化该晶圆;使用一化学物质进行刷洗,俾洗涤该平坦化之晶圆;使用纯水或该洗涤水进行刷洗,俾洗涤该晶圆;及使用一化学物质进行旋转冲洗,俾进一步洗涤该晶圆。11.如申请专利范围第4项之晶圆洗涤方法,其中该晶圆洗涤方法为该晶圆之一背面洗涤步骤中的一表面保护方法,并将其应用在该晶圆的表面上,而藉由一化学物质洗涤该晶圆的一背面。12.如申请专利范围第4项之晶圆洗涤方法,其中该晶圆洗涤方法为从该晶圆表面剥除一有机膜之一有机剥除步骤之后所进行的一洗涤方法,并依据以下步骤进行:乾蚀刻该晶圆表面上的一有机膜;及利用一有机类的化学物质从已乾蚀刻之该晶圆上剥除该有机膜。13.如申请专利范围第4项之晶圆洗涤方法,其中该晶圆洗涤方法为用于在该晶圆的表面上形成一多氧化物闸极氧化膜之一洗涤方法、且为形成该多氧化物闸极氧化膜之一步骤中的第一至第三冲洗中的至少之一,该步骤包含以下步骤:形成一第一氧化膜在该晶圆的表面上;形成一光阻在该第一氧化膜上;藉由该光阻作为一遮罩而湿蚀刻该第一氧化膜,俾能选择性地去除该第一氧化膜;对该晶圆施加该第一冲洗;去除该光阻;对该晶圆施加该第二冲洗;藉由一酸性或硷性化学物质洗涤该晶圆;为该晶圆施加该第三冲洗而去除该化学物质;及形成一第二氧化膜。14.如申请专利范围第4项之晶圆洗涤方法,其中该晶圆洗涤方法为一闸极电极形成在该晶圆表面上之后所进行的一洗涤方法,并依据以下步骤进行:形成一光阻在该晶圆上,并藉由该光阻作为一遮罩而乾蚀刻一闸极电极层,俾形成该闸极电极;从该晶圆剥除该光阻;及藉由一酸性或硷性化学物质洗涤该晶圆。15.如申请专利范围第4项之晶圆洗涤方法,其中该晶圆洗涤方法为形成在该晶圆上的一光阻显影之后所进行的一洗涤方法,并依据以下步骤进行:在该晶圆上形成一光阻;使该形成之光阻曝光;及使该曝光之光阻显影。图式简单说明:图1为显示依据习知单一晶圆旋转处理的晶圆洗涤方法之立体图。图2为显示依据本发明之第一实施例的晶圆洗涤方法之立体图。图3为显示水溶液中之Cu状态的Cu水溶液系统之电位对pH値的图形,其中横座标代表水溶液的pH値、及纵座标代表氧化还原电位。图4为显示依据本发明之第二实施例的步骤流程图。图5为显示依据本发明之第三实施例的步骤流程图。图6为显示依据本发明之第四实施例的步骤流程图。图7为显示依据本发明之第五实施例的步骤流程图。图8为显示依据本发明之第六实施例的步骤流程图。图9为显示依据本发明之第七实施例的步骤流程图。图10为显示晶圆之表面电位的图形,其中横座标代表洗涤水的种类、及纵座标代表最大之表面电位。图11A及图11B为显示已洗涤之晶圆上的表面电位测量値分布图形,其中X轴与Y轴代表晶圆表面的位置、及Z轴代表表面电位,图11A显示使用纯水洗涤之晶圆上的表面电位分布情形、图11B使用还原水洗涤之晶圆上的表面电位分布情形。图12为显示旋转洗涤中Cu之洗析量的图形,其中横座标代表洗涤水的种类、及纵座标代表Cu配线之厚度的减少量。 |
