| 主权项 |
1.一种固体摄像装置之制造方法,其系将与构成该半导体基板之第一元素同族之第二元素引进该半导体基板而形成埋入式去疵捕捉层;在半导体基板之表面上使第一元素进行结晶生长而形成结晶生长层;以较在半导体基板之背面引进与第一元素不同族之第三元素而形成外部去疵捕捉层的场合为低之温度,在上述结晶生长层内及其上层形成固定摄像元件。2.如申请专利范围第1项之固体摄像装置之制造方法,其中形成上述固体摄像元件之所有工序之温度低于1100℃。3.如申请专利范围第1项之固体摄像装置之制造方法,其中上述第一元素为矽,第二元素为碳。4.如申请专利范围第1项之固体摄像装置之制造方法,其中上述第三元素为磷。5.一种固体摄像装置之制造方法,其系将与构成该半导体基板之第一元素同族之第二元素引进该半导体基板而形成埋入式去疵捕捉层;在上述半导体基板之表面上使第一元素进行结晶生长而形成结晶生长层;以较藉由在含盐酸气体环境中进行氧化而在结晶生长层之表面上形成外部去疵捕捉层的场合为低之温度,在上述结晶生长层内及其上层形成固定摄像元件。6.如申请专利范围第5项之固体摄像装置之制造方法,其中形成上述固体摄像元件之所有工序之温度低于1100℃。7.如申请专利范围第5项之固体摄像装置之制造方法,其中上述第一元素为矽,第二元素为碳。图式简单说明:图1为实施形态有关之CCD之概略构造之区块图。图2为实施形态有关之CCD在沿着图1之A-A线之1像素份之水平方向上之剖面图。图3(A)、(B)、及(C)为实施形态有关之CCD之制造中,至形成碳植入区域(埋入式去疵捕捉层)为止之剖面图。图4(A)、(B)、及(C)为实施形态有关之CCD之制造中,至形成p井为止之剖面图。图5为实施形态有关之CCD之制造中,在垂直传送部及通道停止器区域上形成杂质区域后之1像素份之水平传送方向上之剖面图。图6为实施形态有关之CCD之制造中,在垂直传送电极形成后之1像素份之水平传送方向上之剖面图。图7为实施形态有关之CCD之制造中,在受光部之杂质区域形成后之1像素份之水平传送方向上之剖面图。图8为以未植入碳之晶圆之白伤缺陷发生数为100时,白伤缺陷发生数之对于元件形成时工序最高温度之依存性图表之图。图9为显示先前技艺之效果之白伤缺陷数对于碳剂量依存性之图表之图。 |
