| 主权项 |
1.一种含9-氧代基-9-磷芴-2,7-二基骨架、该骨架及 乙烯撑骨架或芳撑骨架为主链之聚合物,其特征为 :该聚合物系如一般式[Ⅰ]所示之聚合物, [式中,-Q-示单键,-Ar-(Ar示芳撑基)或下述一般式[Ⅱ] 所示之乙烯撑基, (式中,R'示氢原子或可具有取代基之碳原子数1至15 之烷基,上述取代基可与上述式中烯键之任何一个 碳原子结合);R示氢原子或可具有取代基之碳原子 数1至15之烷基;n为3至30000之整数]。2.如申请专利 范围第1项之聚合物,其中,该一般式[Ⅰ]中之-Q-为 单键,而为下述一般式[Ⅲ]所示之聚合物者 (式中,R及n与上述者同意义)。3.如申请专利范围第 1项之聚合物,其中,该一般式[Ⅰ]中之-Q-为-Ar-,而为 下述一般式[Ⅳ]所示之聚合物者 (式中,Ar、R及n与上述者同意义)。4.如申请专利范 围第1项之聚合物,其中,该一般式[Ⅰ]中之-Q-为上 述一般式[Ⅱ]所示乙炔撑基,而为下述一般式[Ⅴ] 所示之聚合物者 (式中,R'、R及n与上述者同意义)。5.一种如申请专 利范围第1项之聚合物之制造方法,其特征为:将一 般式[Ⅵ]所示之2,7-二卤素-9-氧代基-9-磷芴进行脱 卤素缩聚反应而制得 (式中,R及X与上述者同意义)。6.如申请专利范围第 5项之制造方法,其中,该缩聚反应系在过渡金属化 合物存在下实施者。7.如申请专利范围第6项之制 造方法,其中,该过渡金属化合物系低原子价过渡 金属化合物者。8.如申请专利范围第7项之制造方 法,其中,该制造方法系使用在非低原子价之过渡 金属化合物中加入还原剂所产生之低原子价过渡 金属化合物来实施缩聚反应者。9.如申请专利范 围第6项至第8项任何一项之制造方法,其中,该过渡 金属系镍原子者。10.如申请专利范围第6项至第8 项任何一项之制造方法,其中,该过渡金属系钯原 子者。11.一种如申请专利范围第2项之聚合物之制 造方法,其特征为:将一般式[Ⅵ]所示之2,7-二卤素-9 -氧代基-9-磷芴进行脱卤素缩聚反应。12.如申请专 利范围第11项之制造方法,其中,该缩聚反应系在过 渡金属化合物存在下实施者。13.如申请专利范围 第12项之制造方法,其中,该过渡金属化合物系低原 子价过渡金属化合物者。14.如申请专利范围第13 项之制造方法,其中,该制造方法系使用在非低原 子价之过渡金属化合物中加入还原剂所产生之低 原子价过渡金属化合物来实施缩聚反应者。15.如 申请专利范围第12项至第14项任何一项之制造方法 ,其中,该过渡金属系镍原子者。16.一种如申请专 利范围第3项之聚合物之制造方法,其特征为:将一 般式[Ⅵ]所示之2,7-二卤素-9-氧代基-9-磷芴与一般 式[Ⅶ]所示之芳撑双硼酸进行缩聚反应 (HO)2B-Ar-B(OH)2 [Ⅶ] (Ar与上述者同意义)。17.如申请专利范围第16项之 制造方法,其中,该缩聚反应系在钯催化剂存在下 实施者。18.如申请专利范围第17项之制造方法,其 中,该钯催化剂系低原子价之配位化合物催化剂者 。19.如申请专利范围第17项之制造方法,其中,该钯 催化剂系3级膦或3级磷酸酯作为配位基之2价配位 化合物者。20.如申请专利范围第17项之制造方法, 其中,该钯催化剂系在反应系中可容易地变换成低 原子价配位化合物之前驱体配位化合物者。21.如 申请专利范围第17项之制造方法,其中,该钯催化剂 系由不含3级膦或3级磷酸酯配位基之钯配位化合 物与3级膦或/及3级磷酸酯并用,而于反应系中形成 含3级膦或/及3级磷酸酯配位基之低原子价配位化 合物者。22.一种如申请专利范围第4项之聚合物之 制造方法,其特征为:将一般式[Ⅵ]所示之2,7-二卤 素-9-氧代基-9-磷芴与一般式[Ⅷ]所示之烯烃进行 缩聚反应 (式中,R'与上述者同意义)。23.如申请专利范围第22 项之制造方法,其中,该烯烃系乙烯者。24.如申请 专利范围第22项或第23项之制造方法,其中,该缩聚 反应系在过渡金属化合物存在下实施者。25.如申 请专利范围第24项之制造方法,其中,该过渡金属化 合物系为低原子价过渡金属化合物者。26.如申请 专利范围第25项之制造方法,其中,该制造方法系使 用在非低原子价之过渡金属化合物中加入还原剂 所产生之低原子价过渡金属化合物来实施缩聚反 应者。27.如申请专利范围第22项之制造方法,其中, 该过渡金属系钯原子者。28.如申请专利范围第27 项之制造方法,其中,该钯催化剂系3级膦或3级磷酸 酯作为配位基之2价配位化合物者。29.如申请专利 范围第27项之制造方法,其中,该钯催化剂系在反应 系中可容易地变换成低原子价配位化合物之前驱 体配位化合物者。30.如申请专利范围第27项之制 造方法,其中,该钯催化剂系由不含3级膦或3级磷酸 酯配位基之钯配位化合物与3级膦或/及3级磷酸酯 并用,而于反应中形成3级膦或/及3级磷酸酯配位基 之低原子价配位化合物者。31.一种发光元件,其特 征为:该元件系由含一般式[Ⅰ]所示9-氧代基-9-磷 芴-2,7-二基骨架为主链之聚合物所构成, (式中,-Q-、R及n与上述者同意义)。32.一种电致彩 色显示元件,其特征为:该元件系由含一般式[Ⅰ]所 示9-氧代基-9-磷芴-2,7-二基骨架为主链之聚合物所 构成, (式中,-Q-、R及n与上述者同意义)。33.一种一般式[ Ⅵ]所示2,7-二卤素-9-氧代基-9-磷芴化合物之制造 方法, (式中,R与上述者同意义,X示卤素原子) 其特征为:将一般式[Ⅸ]所示之9-氧代基-9-磷芴使 用卤素原子进行卤化反应, (式中,R示氢原子或可具有取代基之碳原子数1至15 之烷基)。34.如申请专利范围第33项之制造方法,其 中,该卤化反应系在路易士酸催化剂存在下实施者 。35.如申请专利范围第34项之制造方法,其中,该路 易士酸催化剂系金属或金属盐者。36.如申请专利 范围第35项之制造方法,其中,该构成路易士酸催化 剂之金属系铁、铝或锑者。37.一种一般式[Ⅵ]所 示之2,7-二卤素-9-氧代基-9-磷芴化合物, (式中,R及X与上述者同意义)。38.一种如申请专利 范围第1项之聚合物之制造方法,其特征为:将一般 式[Ⅵ]所示之2,7-二卤素-9-氧代基-9-磷芴与芳撑双 硼酸进行缩聚反应而制得 (式中,R及X与上述者同意义)。39.如申请专利范围 第38项之制造方法,其中,该缩聚反应系在过渡金属 化合物存在下实施者。40.如申请专利范围第39项 之制造方法,其中,该过渡金属化合物系低原子价 过渡金属化合物者。41.如申请专利范围第40项之 制造方法,其中,该制造方法系使用在非低原子价 之过渡金属化合物中加入还原剂所产生之低原子 价过渡金属化合物来实施缩聚反应者。42.如申请 专利范围第39项至第41项任何一项之制造方法,其 中,该过渡金属系镍原子者。43.如申请专利范围第 39项至第41项任何一项之制造方法,其中,该过渡金 属系钯原子者。44.一种如申请专利范围第1项之聚 合物之制造方法,其特征为:将一般式[Ⅵ]所示之2,7 -二卤素-9-氧代基-9-磷芴与烯烃进行缩聚反应而制 得 (式中,R及X与上述者同意义)。45.如申请专利范围 第44项之制造方法,其中,该缩聚反应系在过渡金属 化合物存在下实施者。46.如申请专利范围第45项 之制造方法,其中,该过渡金属化合物系低原子价 过渡金属化合物者。47.如申请专利范围第46项之 制造方法,其中,该制造方法系使用在非低原子价 之过渡金属化合物中加入还原剂所产生之低原子 价过渡金属化合物来实施缩聚反应者。48.如申请 专利范围第45项至第47项任何一项之制造方法,其 中,该过渡金属系镍原子者。49.如申请专利范围第 45项至第47项任何一项之制造方法,其中,该过渡金 属系钯原子者。 |
