硫化氢半导体传感器气敏元件的制造方法

摘要

本发明涉及一种对硫化氢气体敏感的半导体传感器气敏元件的制造方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制造方法的特征在于，采用厚膜工艺在氧化铝衬底上制备二氧化锡层，再在二氧化锡层表面制备氧化铜层，形成氧化铜/二氧化锡复合膜的气敏元件。本发明制备所得的氧化铜/二氧化锡复合膜气敏元件，可使该气敏元件大大提高对硫化氢气体的敏感性能和选择性能。本发明方法能提供一种制造工艺简便，价格低廉的检测硫化氢的半导体传感器气敏元件。

主权项

1.一种硫化氢半导体传感器气敏元件的制造方法，其特征在于，采用厚膜工艺在氧化铝衬底上制备二氧化锡层，再在二氧化锡层表面制备氧化铜层，形成氧化铜/二氧化锡复合膜的气敏元件，其制造工艺步骤为：a.制备二氧化锡基料：采用共沉淀法制备，将四氯化锡溶解于水中形成溶液，再和氨水混和后，经反应得到沉淀，沉淀经洗涤后，在600℃下煅烧5小时，取出后粉碎并研磨均匀，即得到二氧化锡厚膜基料，在该基料中加入一定量的掺杂物质，掺杂物可以是CaCO3、SrCO3、CrSO4、ZrO2中的一种或两种，然后共同研磨均匀；b.在掺杂后的基料粉料中加入一定量的去离子水，并研磨至浆状；然后将该浆料以丝网方式印刷在事先做好的金电极和氧化钌电阻加热层的氧化铝衬底的顶面上，并在550℃下热处理5小时，生成二氧化锡层；c.将上述准备好的二氧化锡层的氧化铝衬底浸入醋酸铜溶液中，10分钟后取出烘干，重复浸入一烘干过程10-20次，然后在600℃下热处理5小时，得到氧化铜/二氧化锡复合膜气敏元件。