| 主权项 |
1.一种化学机械研磨(chemical mechanical polishing;CMP)组 合物,该化学机械研磨组合物至少包含: (a)燻矽土(fumed silica),其含量为3至30wt%; (b)TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide;氢氧化四甲基铵), 其含量为0.01至5wt%; (c)磷酸根阴离子添加物,其含量为0.01至3wt%; (d)含氟化合物,其含量为0.01至1wt%;及 (e)去离子水。2.如申请专利范围第1项所述之化学 机械研磨组合物,其中上述之燻矽土之主要颗粒直 径系在10至50nm。3.如申请专利范围第1项所述之化 学机械研磨组合物,其中上述于水中4%分散物之黏 度系小于4cPs。4.如申请专利范围第1项所述之化学 机械研磨组合物,其中上述之燻矽土包含小于70ppm 之金属不纯物。5.如申请专利范围第1项所述之化 学机械研磨组合物,其更包含如下之一级胺、二级 胺、三级胺、四级胺、四级铵盐、或选自由乙醇 胺、异丙胺、二丙胺、乙二胺(ethylene diamine;EDA)、 丙二胺、六甲基二胺(hexamethylenediamine)、联氨化合 物、氟化四甲基铵(tetramethyl ammonium fluoride;TMAF)、 TMAH、氯化四甲基铵(tetramethyl ammonium fluoride;TMA-Cl) 、氢氧化四乙基铵(tetraethyl ammonium hydroxide;TEAH)、 氟化四乙基铵(tetraethyl ammonium fluoride;TEAF)、氯化 四乙基铵(tetraethyl ammonium fluoride;TEA-Cl)、氢氧化二 甲基二乙基铵(dimethyl diethyl ammonium hydroxide)、氟化 二甲基二乙基铵(dimethyl diethyl ammonium fluoride)、氯 化二甲基二乙基铵(dimethyl diethyl ammonium chloride)、 氢氧化烃基苯甲基二甲基铵(alkylbenzyldimethylammonium hydroxide)、二次乙基三胺(diethylenetriamine)、三次乙 基四胺(triethylenetetramine;TETA)、四次乙基五胺( tetraethylenepentamine)、氨基乙基乙醇胺( aminoethylethanoamine;AEEA)及振(piperazine)所组成之群 组的杂环胺类。6.如申请专利范围第1项所述之化 学机械研磨组合物,其中上述之磷酸根阴离子添加 物之极性官能基为单磷酸盐或双磷酸盐。7.如申 请专利范围第1项所述之化学机械研磨组合物,其 中上述之磷酸根阴离子添加物之非极性官能基为 碳氢化合物或氟碳化合物。8.如申请专利范围第1 项所述之化学机械研磨组合物,其中上述之含氟化 合物为TMAF或TMAF盐类。9.如申请专利范围第1项所 述之化学机械研磨组合物,其中更包含一或多种选 自由一分散剂、缓冲溶液、及盐类组成之群组的 材料。10.如申请专利范围第1项所述之化学机械研 磨组合物,其中上述之化学机械组合物之制备,系 加TMAH于去离子水中、逐渐加燻矽土于其中并分散 之、加入磷酸根阴离子添加物及含氟化合物以制 成悬浮液、以及在相对碰撞状态碾磨该悬浮液。 11.如申请专利范围第1项所述之化学机械研磨组合 物,其中上述之燻矽土之于预混合时平均二级颗粒 直径为220至290nm。12.如申请专利范围第1项所述之 化学机械研磨组合物,其中上述之悬浮液之多重分 散性为0.25或更少。13.如申请专利范围第10项所述 之化学机械研磨组合物,其中上述之碾磨制程为喷 射碾磨。14.如申请专利范围第10项所述之化学机 械研磨组合物,其中上述之相对碰撞处理之压力为 500至3000kgf/cm2。15.如申请专利范围第10项所述之化 学机械研磨组合物,其中上述之燻矽土之平均二级 颗粒直径于碾磨后为150至220nm,其多重分散性为0.20 或更低。16.一种用于平坦化半导体元件之方法,该 方法系蚀刻于半导体元件之上依序成膜之氮化物 膜与氧化物膜,而使用根据专利申请范围第1项至 第15项之任何一项之化学机械研磨研浆组合物,以 化学式机械式研磨该膜。图式简单说明: 第1图图解显示一包含传统STI CMP制程之平坦化半 导体元件之制程;及 第2图显示一使用本发明之该CMP研浆组合物之平坦 化半导体元件的简化方法。 |
