发明名称 Halbleitereinrichtung und Herstellungsverfahren von Kontakthöcker auf Halbleiterchips
摘要 Ein erster Halbleiterchip ist mit einem Trägersubstrat chip-gebondet, eine Mehrzahl hoher Kontakthöcker und eine Mehrzahl niedriger Kontakthöcker sind auf einem zweiten Halbleiterchip ausgebildet, und der zweite Halbleiterchip ist mit der aktiven Seite nach unten mit dem Trägersubstrat und dem ersten Halbleiterchip gebondet.
申请公布号 DE10312642(A1) 申请公布日期 2004.01.22
申请号 DE2003112642 申请日期 2003.03.21
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO 发明人 HIROSE, MASAHIRO
分类号 H01L25/18;H01L21/60;H01L25/065;H01L25/07 主分类号 H01L25/18
代理机构 代理人
主权项
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