| 发明名称 | 光电转换元件 | ||
| 摘要 | 在具有由硅系非单晶半导体材料构成的pn或pin结构的多个单位元件进行叠层光电转换元件中，提供在多个单位元件间的p/n界面附近，氧原子浓度和/或碳原子浓度有极大值的峰的光电转换元件。因此提供使p/n界面的结构稳定，提高界面特性及膜粘附性，光电转换效率高的光电转换元件。 | ||
| 申请公布号 | CN1469494A | 申请公布日期 | 2004.01.21 |
| 申请号 | CN03141214.9 | 申请日期 | 2003.06.06 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 保野笃司 |
| 分类号 | H01L31/06;H01L31/04 | 主分类号 | H01L31/06 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 陈昕 |
| 主权项 | 1.光电转换元件，其特征在于在具有由硅系非单晶半导体材料构成的pn或pin结构的多个单位元件叠层的光电转换元件中，在前述多个单位元件间的p/n界面附近，氧原子浓度有极大值的峰。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||