| 发明名称 | 半导体集成电路的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体集成电路的制造方法，其特征在于，具备：在设置多个元件的半导体衬底的主面上形成绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成回流玻璃的工序；为了分离所述多个元件，在所述主面上贯通所述回流玻璃和所述绝缘膜，在半导体衬底内部形成具有底面的隔离槽的工序；以及使所述回流玻璃回流，在所述底面的上方封住所述隔离槽的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1134059C | 申请公布日期 | 2004.01.07 |
| 申请号 | CN98118562.2 | 申请日期 | 1998.09.03 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 国清辰也 |
| 分类号 | H01L21/76;H01L21/31;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路的制造方法，其特征在于，具备：在设置多个元件的半导体衬底的主面上形成绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成回流玻璃的工序；为了分离所述多个元件，在所述主面上贯通所述回流玻璃和所述绝缘膜，在半导体衬底内部形成具有底面的隔离槽的工序；以及使所述回流玻璃回流，在所述底面的上方封住所述隔离槽的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||