发明名称 | 具有颈状信道的场效晶体管及其制造方法 | ||
摘要 | 一种具有颈状信道的场效晶体管及其制造方法。本发明的具有颈状信道的场效晶体管是一双栅极金氧半场效晶体管,本发明的场效晶体管至少包括:源极和漏极间的信道,其中此信道为中间细两端宽的颈状结构,藉以避免发生短信道效应,且同时可减少串联信道电阻值;以及包裹间隙壁,其中包裹间隙壁覆盖住信道,和源极与漏极的主动区域,藉以避免这些区域被金属硅化。本发明的制造方法至少包括:在SOI基板或类似结构上,以OD掩膜进行光刻和蚀刻工艺来形成颈状信道、源极、漏极;以及于沉积栅极材料层之后,形成包裹间隙壁。 | ||
申请公布号 | CN1466226A | 申请公布日期 | 2004.01.07 |
申请号 | CN02122346.7 | 申请日期 | 2002.06.14 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈豪育;陈方正;詹宜陵;杨国男;杨富量;胡正明 |
分类号 | H01L29/772;H01L21/335 | 主分类号 | H01L29/772 |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民;王刚 |
主权项 | 1.一种具有颈状信道的场效晶体管,至少包括:一基板,其中该基板包括: 一基材; 一障碍氧化层形成于该基材上;以及 一硅材料层形成于该障碍氧化层上;一源极;一漏极;一颈状信道,其中该颈状信道连接于该源极和该漏极之间,且该源极、该漏极和该颈状信道是由该硅材料层所制成,而该颈状信道具有一第一宽度和小于该第一宽度的一第二宽度,该第一宽度约位于该颈状信道的一端和另一端,该第二宽度约位于该颈状信道的一中间位置,该颈状信道的形状为由该端逐渐缩小至该中间位置,再由该中间位置逐渐扩张至该另一端;以及一栅极层,其中该栅极层形成于该颈状信道的该中间位置,该栅极层至少包括: 一栅极氧化层形成于该颈状信道的该中间位置的周围侧面;以及 一栅极材料层沉积于该栅极氧化层上。 | ||
地址 | 中国台湾 |