集成电路上薄膜层中分布的去耦电容器结构及其制造方法

摘要

本发明公开了在集成电路(IC)的Si层和布线层上的一组分开的薄膜(TF)层中构成的有大电容C的薄膜电容器的应用。该电容值C很大，按本发明的两层IC结构中的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构包括上层，在包括下层的Si晶片衬底中构成CMOS逻辑和存贮器电路。所加的薄膜电容用于使在GHz IC工作中的电源电压稳定在一个恒定电平上。

主权项

1.一种金属-绝缘体-金属薄膜电容器结构，包含：由一个集成电路芯片的一对相互连接层所构成一对电极，所述相互连接层分离于并位于该集成电路芯片的一个基片层之上，其中一个下电极又包括了具备含有一个顶部分及两个倾斜部分的表面的楔形侧壁外形；以及一个在该对电极之间布置的绝缘体，所述绝缘体包含多个介质层，而所述介质层及一个上电极又平行淀积于所述下电极的表面。