| 发明名称 | 磷化铟基磷化铟/铟镓砷锑/磷化铟双异质结双极晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明一种磷化铟基磷化铟/铟镓砷锑/磷化铟双异质结双极晶体管，其中包括：一衬底；该衬底上生长有一层与磷化铟晶格匹配的重掺杂的N型子收集区；该子收集区上是轻掺杂的N型磷化铟收集区；该收集区生长有一层与磷化铟晶格匹配的重掺杂的P型作为基区，基区上面是磷化铟发射区；最上面一层是作欧姆接触层。 | ||
| 申请公布号 | CN1459873A | 申请公布日期 | 2003.12.03 |
| 申请号 | CN02117379.6 | 申请日期 | 2002.05.21 |
| 申请人 | 中国科学院微电子中心 | 发明人 | 石瑞英;刘训春 |
| 分类号 | H01L29/737 | 主分类号 | H01L29/737 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种磷化铟基磷化铟/铟镓砷锑/磷化铟双异质结双极晶体管，其特征在于，其中包括：一衬底；该衬底上生长有一层与磷化铟晶格匹配的重掺杂的N型子收集区；该子收集区上是轻掺杂的N型磷化铟收集区；该收集区生长有一层与磷化铟晶格匹配的重掺杂的P型作为基区，基区上面是磷化铟发射区；最上面一层是作欧姆接触层。 | ||
| 地址 | 100029北京市德胜门外祁家豁子 | ||